【GD32F407】读写内部flash函数

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#mcu #gd32 #flash

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于 2022-01-19 11:19:45 首次发布

本文详细介绍了GD32系列微控制器的Flash特性及操作方法，包括Flash的读、擦除和写入函数实现。重点讲解了如何通过页擦除进行数据更新，并提供了具体的代码示例。

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GD32的flash特征

1、在flash的前512K字节空间内，CPU执行指令零等待；在此范围外，CPU读取指令存在较长延时；
2、对于flash大于1024KB（不包括等于1024KB）的，使用了两片闪存；前1024KB容量在第一片闪存（bank0）中，后续的容量在第二片闪存（bank1）中；
3、对于flash容量小于等于1024KB，只使用了bank0；
4、支持32位整字或16位半字编程，页擦除和整片擦除操作；

GD32 flash内部结构

bank0 内存分布入下

bank1内存分布如下

GD32 flash读函数

flash可以想普通空间一样直接地址访问内存

value = *(volatile u32 *)flash_addr;

u32 IapFlashRead(u32 addr)
{
    return (*(volatile u32 *)addr);
}

GD32 flash 擦除函数

由于GD32 flash只支持四种擦除模式：整体擦除，bank0擦除，bank1擦除，页擦除，我们在实际读写flash过程中使用最多的还是页擦除

这里我们可以直接调用GD32的库函数进行擦除

/*!
    \brief      erase sector
    \param[in]  fmc_sector: select the sector to erase
      \arg        CTL_SECTOR_NUMBER_0: sector 0 
      \arg        CTL_SECTOR_NUMBER_1: sector 1 
      \arg        CTL_SECTOR_NUMBER_2: sector 2 
      \arg        CTL_SECTOR_NUMBER_3: sector 3 
      \arg        CTL_SECTOR_NUMBER_4: sector 4 
      \arg        CTL_SECTOR_NUMBER_5: sector 5 
      \arg

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