想你所想，做你所做

原创 以实际案例带你了解三极管的工作原理

三极管是一种重要的半导体器件，主要用于信号放大和开关控制。其工作原理基于小电流控制大电流，通过基极电流调节集电极与发射极间的电流。根据公共端不同，三极管电路可分为三种基本类型：共基极（CB）电路适合高频放大，共集电极（CC）电路用作射极跟随器实现阻抗变换，共发射极（CE）电路则是最常用的放大电路。每种电路具有不同的特性：CB电路输入阻抗低、输出阻抗高；CC电路电压放大倍数接近1；CE电路能同时实现电压和电流放大。这些特性使三极管广泛应用于电子电路的信号处理和控制领域。

原创 稳压二极管、TVS管、ESD静电管在电路设计中的实际应用及对比

摘要：硬件设计中，电源防护常用三种二极管：1）稳压二极管用于稳定电压和过压保护，适合小电流负载；2）TVS管专防浪涌，能承受大电流冲击，响应速度快；3）ESD静电管针对高压静电防护，电容小不影响高速信号。稳压管用于持续稳压，TVS管应对瞬态浪涌，ESD管保护高速接口免受静电损坏。选择时需根据防护需求（稳压、浪涌或静电）及电路特性匹配相应器件。

原创 LPDDR4/LPDDR4X与LPDDR5差异化及对比详解

摘要：LPDDR5相比LPDDR4在多方面实现显著升级：传输速率从3200 MT/s提升至6400 MT/s，带宽达51.2GB/s；工作电压降至1.05V，配合DVFS技术使功耗降低20%-30%；架构上支持多Bank Group和读写分离，采用PAM调制等新技术提升信号质量；新增差分数据时钟、DMI引脚等功能，并强化ECC校验。实际应用中，LPDDR5在高负载任务中性能提升1.5-2倍，更适用于AI计算等高要求场景。

原创 现状下，存储走向到底该何去何从

为了让写磁头写数据的时候不干扰相邻磁道的数据，磁道之间必须留有间隔，而读磁头很小，读取数据的时候真正被有效利用的磁道只有中间蓝色窄窄的一条，其余的空间全部都被浪费掉了；叠瓦盘的原理有些像房屋铺屋顶瓦片，将磁道像上图这样重合一部分给叠起来，这样存储密度自然就提高了，但是这种技术有个问题，就是在写入数据的时候由于写磁头较大，数据写入磁道1的同时会把磁道2也给写入了，这样磁道1和磁道2就会出现重复的数据，但是如果你接着给磁道2写入数据就是把之前的磁道2数据给覆盖掉，因此如果一直这样顺序写入也不会有什么问题。

原创 AI算力芯片对比：RK1820&&MLU220

鉴于 NEON 技术提供的向量技术加速效果体验更优秀，从 ARMv7 架构开始使用 VFP 向量指令加速的模式被弃用，因此 VFP 单元有时也称之为 FPU（Floating Point Unit）单元；NEON 还可以加速信号处理算法，以加快音频和视频处理、声音和面部识别、计算机视觉和深度学习等应用。RK1820作为一款新发布的AI协处理器芯片，最近在圈子里也是风生水起，许多公司都在进行验证试用，我司一直以来使用的是寒武纪的一颗MLU220算力芯片。而寒武纪模组则为自研产品，这里不做描述。

原创 机械硬盘更换M.2固态硬盘的优势

当然依据存储代理商所述，京东上的产品一般都是各大厂家芯片较次的产品，往往芯片稳定性、性能最优的一批都会自销，所以代理商推荐的存储硬盘有些会比京东价格更高，但相应的可靠性一般也会更高一些（该观点出自存储代理商之口，仅供参考）（2）稳定性更高，不存在机械硬盘突然断电可能损坏硬盘情况。（3）机械安装简单，机械硬盘需设计独立支架、固定。（1）读写速度更快，存储快。以上价格均为京东查询；

原创 DDR4国产替换方案

海力士：2025年底，DDR4产能占比由原来30%降低至20%，后续主攻HBM、SSD，以满足AI服务器需求。纯国产：晋华（晋华没有LPDDR4）、长鑫，晶圆也是国产，但是产能跟不上，且只能做到8G的。镁光DDR4/LPDDR4减产，后续主要供车用、工业、网通等长期客户；长鑫：后续不再开发标准DDR4，仅保留部分产线为兆易创新代工生产；其他国产DDR，晶圆本质上用的还是三星、镁光的。国产品牌：晶存，长鑫，江波龙，晋华。二、海外DDR4现状。

原创 海力士DDR差异性对比--H9HCNNNCPMMLXR-NEE && H9HCNNNCPMMLXR-NEI

通过降低电压，其动态功耗可降至 0.95W，但对电源纹波要求更严格（需≤50mV）。支持 -40℃ ~ 105℃ 的宽温范围，符合 AEC-Q100 Grade 2 车规认证，适用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）等严苛环境。优化为 CL=14-14-14 的激进时序，tRCD/tRP 缩短至 14 个时钟周期，数据访问速度提升约 12.5%。这种配置更适合对延迟敏感的应用（如高端智能手机、自动驾驶域控制器），但需搭配更精密的电源管理系统以避免信号干扰。

原创 国产处理器飞腾CPU各系列综合性能对比

飞腾腾锐D系列，主打桌面终端行业等应用场景。飞腾处理器主要分为S系列、D系列、E系列。飞腾腾云S系列，主打服务器行业等应用场景。飞腾腾珑E系列，主打嵌入式行业等应用场景。

转载 时域与频域的关系及拓展

对照方波的频谱，再看看梯形波的实际频谱，可以看出两者1次和3次谐波大致相同，梯形波的5次谐波约为方波的70%，依然占了很大的一部分。如果理想方波的重复频率为1GHz，其中频谱中的正弦波频率就是1GHz的整倍数。占空比为50%并从0 V跳变为1 V的理想方波，其1次谐波的幅度为0.63 V，3次谐波的幅度为0.21 V，1001次谐波的幅度为0.00063 V。示波器的带宽可以理解为测量的幅度误差不超过-3 dB 的正弦波的频率值，超过这个频率值信号输入，就会衰减，示波器中再现的波形就失真过度了。

原创 示波器常识概述及简介

但是，如果没有其他的设计电容组件来补偿系统中固有的电容元件，则系统在动态信号条件 （非直流）下的阻抗会从探测系统的整体动态衰减改为不同于所需的 10:1 比率。正确调整补偿电容时，这还可以确保与 9 MΩ 电阻器并列的探针电容的时间常数，和与示波器的 1 MΩ 输入电阻器并列的固有和补偿电容的时间常数匹配。实际使用10：1探头工作过程中，示波器知道探头衰减常数后 （自动检测或手动输入），会提供所有垂直设置的补偿读数，以便将所有的电压测量引用到探头端部的无衰减输入信号。探头端部的净输入电阻则为 10 MΩ。

原创 芯片测试方法及流程概述

测试是芯片各个环节中最“便宜”的一步，但测试是产品质量最后一关，若没有良好的测试，产品PPM过高，退回或者赔偿都远远不是5%的成本能代表的。常应用于功能测试、性能测试和可靠性测试中，常常作为成品FT测试的补充而存在，就是在一个系统环境下进行测试，把芯片放到它正常工作的环境中运行功能来检测其好坏，缺点是只能覆盖一部分的功能，覆盖率较低所以一般是FT的补充手段。主要应用于功能测试，使用PCB板+芯片搭建一个“模拟”的芯片工作环境，把芯片的接口都引出，检测芯片的功能，或者在各种严苛环境下看芯片能否正常工作。

原创 显卡分类及特性详解

关于显卡的非公版和公版，NVIDIA和AMD自家显卡称之为公版，公版指的是NVIDIA或AMD在新品发布之初，原厂设计(或者授权设计)的PCB版型，包括电路、接口、用料、散热都方面都是有统一标准的，而且显卡的核心频率也都一致，并指定OEM厂商生产的显卡。显卡的核心频率是指显示核心的工作频率，其工作频率在一定程度上可以反映出显示核心的性能，核心频率越高，那么显卡的性能就越强，当然就会造成显卡功耗越高。A卡的型号主要是前缀+数字组成，目前的A卡型号前缀目前都是以RX开头，其后面的数字型号则是越高性能越强！

原创 工控主板分类详解

但CPCI主板上没有金手指，采用更为可靠的CPCI连接器和背板连接，CPCI连接器采用压接的方式与PCB连接，免焊的设计具有更高的可靠性。element U，2019年下半年，intel重磅推出的“计算模块”，该计算模块更像是一张名片，拥有intel全新定义的300PIN金手指接口，模块尺寸为：95X65X6mm，统一取名为Intel NUC Element。COM口，1路PCIEX16扩展槽，并支持VGA，DVI，LVDS高清显示接口，多应用于银行自助终端、轨道交通、智慧政务服务中心等场景使用。

原创 Cortex系列详解

R 系列实时处理器为要求可靠性、高可用性、容错功能、可维护性和实时响应的嵌入式系统提供高性能计算解决方案。X计划的目标是为高端移动平台、云服务场景、边缘计算和高性能计算设备提供更快、更强大的处理器核心。A 系列处理器适用于具有高计算要求、运行丰富操作系统以及提供交互媒体和图形体验的应用领域。X系列处理器采用了激进的架构设计，大幅度提升移动处理器的性能（俗称超级大核）；“A”系列面向尖端的基于虚拟内存的操作系统和用户应用。实时嵌入式系统中用于自动驾驶、工控系统和医疗设备等。“R”系列针对实时系统。

原创 国产处理器-兆芯 开先系列

兆芯处理器主要包含开先系列和开胜系列。开先系列是PC、嵌入式处理器；开胜系列是服务器处理器。

原创 电容可靠性及常见电容概述

内部发热会明显增加热应力，所以纹波电流越高，电容的等效串联电阻产生的内部功耗就越大。便宜的MLCC在温度变化时电容值的变化也很大，在整个温度范围内的变化可以从+22%到-82%。如果电路设计的工作温度是25°C，那么在较低或者较高的环境温度下，电容的表现大不相同，可靠性不高。因此相比低电压的电容，一个高电压的电容的可靠性不一定也较高。一个在6.3V时额定为10µF的0806型MLCC电容，对上升的电压会出现明显的电容下降。工作寿命和电容的容量没有关系，所以在设计中使用大容量的电容不会改变其可靠性。

原创 DC-DC输入输出滤波专题

比如对于一个输出被完全整流的转换器，它的输出电容是22µF，电流是1A，操作频率是100kHz，那么在没有外部电容的情况下它的输出纹波是226mVp-p。如果所要求的纹波是这个值的一半，56mVp-p，那么需要90µF的总电容，换句话说68µF的外部电容。开关尖峰所造成的电流干扰也会叠加在这两个分量的组合上，这个电流干扰的幅值小的多，同时频率也高的多。所有的DC-DC转换器都有输出纹波和噪声，过滤输出纹波/噪声需要两种完全不同的技术，因为纹波是不均匀（差模）的干扰，而噪声（共模）是均匀的干扰。

原创 DC-DC电源芯片规格书上的各种参数详解

如果测量时设定电流是80%最大电流，那么负载调节率可以通过三种方法测得到： 测量最小负载和半载（ 半载是指最小负载和满载的平均值，LOADHALF = (ML+FL)/2）的输出电压，测量满载和半载时的输出电压，或者测量最小负载和满载时的输出电压，三种方法测得的结果几乎是一样的。举例来说，如果一个1W转换器的电流上限为150%额定电流，那么转换器必须能够在过载或短路的情况下承受500mW的额外功耗，但是对于一个50W的转换器必须承受25W的额外功耗。用类似的方法还可以测得其他温度下的输出电压。

原创 正确认识DC-DC电源纹波及其一些测量注意事项

一个示波器如果没有20MHz带宽的限制，那么由于额外的共模干扰，读数总是偏高。对于DC-DC电源纹波的测量，如果不清楚干扰源以及他们之间的相互影响，仅仅用一个示波器的标准探头连接到转换器上，然后从显示屏上读取数据，这么做往往是不可靠的。需要注意的是，测量得到的波形被两个50欧姆电阻组成的分压器减半，所以示波器的显示波形应该有2倍的幅值增益。一个简单的示波器探头极大地忽略了差模干扰，因为差模干扰同时出现在两个连接点上并且是均匀的。如果探针的连线不可能很短，那么可以参考使用图3.3中所示的接线方法。

原创 DC-DC电源设计中电感选型详解

/有一MCU使用 Buck型DC-DC，其输入为电池 Vinmax= =4.2V，开关频率Fsw=1.2MHZ，输出电流 Irate=500mA，输出电源 Vout=1.2V。2， 根据电感的精度， 计算出有一定裕量的电感值例如： 对于 20%精度的电感， 考虑到 5%的设计裕量。距离 3.57uH 最近的一个标称电感为 4.7uH，所以 DC-DC外部电感选用4.7uH 电感。1， 根据 DC-DC 的输入输出特性计算所需的最小电感量。3， 确定我们所需的电感为比计算出的电感 L 稍大的标称电感。

原创 MOSFET与IBGT详细对比分析

原创 WIFI详解及周边拓展

通常Wifi模块拥有较高的带宽是以提高功耗为代价的，因此便携WIFI装置需要较高的电能储备，另外WiFi传输的数据质量有待改进，这限制了工业场合的推广。蓝牙模块的工作标准基于IEEE 802．15．1协议，工作频段在2．4GHz，信道带宽1MHz，异步非对称连接最高数据速率732．2kbps（蓝牙2．0版支持10Mbps以上的速率），连接距离小于10m，使用高增益天线可是通信范围扩展到100m，由于蓝牙的上述特性使它可以应用于许多无线设备如图像处理设备、智能卡、身份识别设备等。二、WiFi协议的工作原理。

原创 辐射之CE和FCC标准的具体分析

这里有轻微的差异，但一般来说，如果设备能满足CE的限值要求，那么在230~960MHz的频率范围内，它也能够满足FCC的要求。这意味着，如果一个设备能满足CE的限值要求，那么在88~216MHz的频率范围内，它也能够满足FCC的要求。在216-230MHz的频率范围内，FCC要求的限值是46dB，CE要求的限值是40dB。同样的，如果一个设备能满足CE的限值要求，那么在216~230MHz的频率范围内，它也能够满足FCC的要求。在这个频率范围内，如果设备能满足CE的限值要求，那么它也能够满足FCC的要求。

原创 PCIE协议版--M.2接口规范V1.0中文版1——电气规格篇

3.电气规范3.1 Connectivity Socket 1 系统接口信号表15适用于Socket 1-SD和Socket 1-DP输出版本。3.1.1.补充NFC信号当一个SIM设备被用作安全元素时，NFC解决方案可以与表16中列出的附加信号相结合。3.1.2.电源和地PCI Express M.2 Socket 1使用一个3.3 V电源。电压源，+3.3 V，预计在系统的备用/暂停状态期间可用，以支持通信卡上的唤醒事件处理。一些较高频率的信号需要与周围的信号进行额外的隔离，使用交

原创 工频磁场抗扰度概述及相关注意事项

它可用于评价处于工频( 连续和短时) 磁场中的家用、商用和工业用电气和电子设备的性能，尤其适合于计算机监视器、电度表等一类对磁场敏感设备的磁场抗扰度试验。（在有电流流过的地方都会伴生磁场，为了检查设备或系统在附近有工频磁场的情况下，对磁场骚扰的抵抗能力。工频磁场是由导体中的工频电流产生的，或少量的由附近的其他装置（如变压器的漏磁通）所产生。II、故障条件下的电流，能产生幅值较高、但持续时间较短的磁场，直到保护装置动作为止。I、正常运行条件下的电流， 产生稳定的磁场，幅值较小；：有电子束敏感装置使用的环境。

原创 辐射GB4824--Class A & Class B区分以及国标、美标、欧标对比拓展

I、在开阔试验场地（OATS）和半电波暗室（SAC）测量时，A类设备可在3m、10m、或30m标准距离下测量；而如果放入全电波暗室（FAR）的有效测试区域中，则B类设备可以在FAR的3m标准距离下进行测试；电磁辐射测试要看测试距离，上表这里FCC测试距离是10m情况下，对比国标GB4824在10m的测试标准会发现，其实是一致的。所以看限值，30~230MHz，230MHz ~1GHz，这个限值就是国标和欧盟的；实际中，国标和欧盟的是一样的，就是国标和CE是一样的，FCC和CE差了一点，但差的并不多；

原创 硬盘供电及功耗问题概述

启动时只需要+12V的供电，其他诸如空闲、读写、待机、休眠时除+12V以外还需+5V供电，但这些状态所需电流都较启动电流要小好多；以下是希捷不同容量硬盘功耗情况，可以看出：硬盘功耗一般随着容量的增加会略微增加一些，但基本也都差不多，有些甚至反而更低一些。硬件设计中经常接触的必不可少的就是硬盘了，但是对于硬盘的供电及功耗问题，大家经常感到有些迷茫，今天就一起学习一下。然而实际使用过程中，硬盘在不同工作状态对电源需求是不同的。但实际的硬盘功耗，特别是启动瞬间的功耗不止于此；启动时+12V所需电流是2A；

原创 CAM350开短路检查操作

使用CAM350进行开短路检查，实际就是从Gerber文件中提取网表与从Allegro中产生的IPC-D-356A格式网表进行比较。这里将板卡的各层标注出来，内层统一设置为Internal（如果存在负片的时候，同样要设置负片为Neg Plane）注意：如果导入的时候这里忘记设置，在CAM350中通过Tables–>Layers同样可以进行设置！如果没有，则该步骤直接跳过；6.Cam350中导入刚刚生成的.ipc文件，弹出对话框，直接点击OK即可；这里参数设置不需要勾选，直接点击OK即可，提取网表。

原创 可靠性设计中的DFMEA、FET、FMEDA、PFMEA等分析模式详解

转载 影响DDR5稳定性的RAS功能

随着DDR5信号速率的增加和芯片生产工艺难度的加大，DRAM内存出现单位错误的风险也随之增加，为进一步改善内存信道，纠正DRAM芯片中可能出现的位错误，DDR5引入了片上ECC技术，将ECC集成到DDR5芯片内部，提高可靠性并降低风险，同时还能降低缺陷率。CRC保证了数据传输的正确性。对于数据信号，随着速率的进一步提升，DDR5采用了之前在高速串行信号中才会使用的反馈判决均衡技术（DFE），以减少信号衰减和码间干扰（ISI）的负面影响，增加了信号眼图的优化手段，为数据信号的高速传输提供了保障。

原创 PCIE协议版--M.2接口规范V1.0中文版1——物理规格篇

5.1.3.双模块键模块：同时支持Socket1-DP、Socket1-SD。2.4.7.3.3.双面模块（使用H2.8、H3.2、H4.2连接器）6.5.8.2.5.热设计功率响应-带有风扇类别的薄平台笔记本电脑。2.3.7.1. Socket1&2射频连接器PIN-OUT。5.2.2.Socket2 PIN-OUT（机械KEY B）3.2.10.1.3.极薄的笔记本电脑的电源开关顺序的例子。5.1.1.Socket1-DP（机械KEY A）5.1.2.Socket1-SD（机械KEY E）

原创 M.2 SSD接口详解

一开始，B key的只能插在b key（Socket 2）的接口中，m key的只能插在m key(Socket 3)的接口中，但是随着m key接口的普及，越来越多电脑主板只有m key 接口，b key的ssd根本插不上去，于是厂商们又设计了一个b&m key接口的ssd。常见的M.2接口为Key A、Key B、Key E和Key M. 不同的key类型表示此m2接口支持的信号，见下表。Key B、Key M多用于硬盘，Key A、Key E多用于无线网卡，当然也有各种转接模块。

原创 Sigrity仿真之S参数介绍及提取

全称为Scatter 参数，即散射参数，是在传输线两端有终端的条件下定义出来的，一般是50Ω。通过S参数，我们能看到传输通道的几乎全部特性，例如信号的反射，串扰，损耗，都可以从S参数中找到有用的信息。，表示有多少能量传送到目的端（port2），当然S21越大越好，理想为1即0dB；，即有多少能量被反射到源端（port1），S11这个值越小越好，反射回来的能量越小则被目的端接收的越多，损耗越小；阻抗和导纳矩阵反应了端口的总电压和电流的关系，而散射矩阵是反映端口的入射电压和反射电压的关系；

原创 Sigrity仿真之如何使用Speed200仿真EMI

因此，如果想在未放置的设备pin上进行探测，需要添加设备模型或在探测点上放置一个较大的电阻。（2）选中DQ0-DQ7, DQ0R- DQ7R, DQS0+, DQS0R+, DQS0-, and DQS0R-，所有连接到U0和U8的DQ和DQS信号网均使能。本节定义了基于IBIS模型的控制器和内存设备模型，该设计被设置为写模式，即，控制器正在写入以DDR3-1333速度运行的存储器。然后即可看到，DQ0的激励已经创建好，然后给DQ1-DQ7均选用data_in，用data_in分配信号DQ0~DQ7。

原创 Sigrity仿真之Power SI走线阻抗及耦合(串扰)分析

（2）点击 coupling summary table，查看耦合分析表格，报告内容包括网路序号、网络名称、最大干扰源、最大耦合系数、最大耦合系数所占走线长度的百分比、耦合系数大于0.05的走线长度百分比、耦合系数在0.01-0.05的走线长度百分比、总的耦合参考数值等内容。报告内容包括在网络的序号、网络的名称、无参考平面走线数目、回流不连续走线的数目、过孔的数量、最大阻抗、最小阻抗、主导阻抗、主导阻抗走线百分比、走线的总长度、走线的信号延迟等内容。若网络有错误，可通过鼠标右键选择修改网络的属性。

原创 Orcad原理图打印的时候如何调整打印页码顺序

我们通过Orcad软件绘制完成原理图以后，会进行检查或者是发给别的工程师进行检查，这是需要将原理图文件打印成pdf文件，在打印的时候，我们发现一个问题，就是有时候输出的pdf的排序并不是按照我们原理图的排序，而是乱的。这时候就会有这样的一个疑问，我们输出的pdf文件的页码顺序是怎么决定的呢，应该怎么排，我们输出的pdf文件的页码顺序才是按照原理图的来的呢？实际打印的时候，PDF显示的顺序是按照这里的顺序来排布的，而并非是根据原理图页码来排布的。所以只有修改这里的页码顺序才可以。

原创 RJ45网口座子上的LED接法详解

它的LED部分，每个接口内部都是并联了正向、反向两个不同的绿色、黄色LED，所以汉仁的这款RJ45的LED引脚无论是LED+接3.3V还是接GND，都可以点亮；唯一需要注意的就是，两个LED点亮的时候注意避免点亮同一颜色的LED，也就是说，在原理图上设计的时候，这款RJ45的两个LED处，有一个LED+接的是3.3V，另一个LED+接的就是GND了。这种形式的RJ45，内部的LED结构就是标准的串联了一个LED，所以接法就是常规的LED+接3.3V，LED-接GND了。

原创 Sigrity仿真之OptimizePI电容优化

在library–>load library file:选择提前找好的电容库索引文件（.xml格式文件，这个一般在Cadence/Sigrity安装目录中都有默认的相应S参数电容库（.s2p文件）及电容库索引文件）下面这一步可以查看电容的势力范围（或者称为去耦半径）；（5）电容的ESR、ESL实际与过孔、焊盘相关，电容的地孔、地线如果不符合要求，则在仿真中会显示出来相应电感的ESR、ESL等参数。第二部分红框标注的就是优化后的方案，C6、C7、C29、C32代表的就是优化后，板卡上这些电容是可以去掉的；

原创 Sigrity仿真之电热混合仿真

1、本次电热混合仿真，是基于上次POWER DC单板直流压降仿真的基础上的，所以直接加载之前的Workspace；在这里可以勾选你认为会发热的IC，并且在Ckt type列有下拉菜单，主要有三种：pcb-comp，BGA和Die。这个数值非常关键，没有厚度是不被判断为发热元件的。当然如果知道详细的芯片的热阻参数，也可以按照如下所示调整：然后输入JB和JC，这个可以参考JESD51-2A等规范文件。7、鼠标放置在Dissipation列，出现E，点击进去，输入功耗：根据Datasheet填写。