stm32f103rc片内Flash使用FAL库配置说明

最新推荐文章于 2026-05-09 05:52:35 发布

原创

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本文详细介绍了在RT-Thread系统中配置和测试Flash抽象层(FAL)的过程，包括ENV配置、底层驱动函数重写、Flash分区表配置及读写测试代码示例。

1.参考文件

https://github.com/RT-Thread-packages/fal
https://github.com/RT-Thread-packages/fal/blob/master/samples/porting/README.md
https://blog.csdn.net/m0_37621078/article/details/102689903

2.ENV配置

(1)配置使用片内Flash，修改./board/Kconfig文件增加使用内部Flash选项。
①增加的内容如下:

menu "On-chip Peripheral Drivers"   
...     
    config BSP_USING_ON_CHIP_FLASH
        bool "Enable on-chip FLASH"
        default y

② ENV配置如下图
选择该选项后，MDK工程中会增加 stm32f1xx_hal_flash_ex.c和stm32f1xx_hal_flash.c另个与片内Flash相关的文件。
在这里插入图片描述

(2)ENV配置使用fal包，配置内容如下：
选择使用fal_cfg.h配置Flash的分区表，配置路径为：

RT-Thread online packages
    system packages --->
        --- fal: Flash Abstraction Layer implement. Manage flash device and partition.

在这里插入图片描述

3.重写底层Flash驱动函数

(1)创建设备底层驱动需要的c文件，根据实际芯片改写内存配置，包括设备名，起始地址，内存总大小，山区大小，注册函数名，如下图所示。
在这里插入图片描述

4.配置Flash分区表

(1)目前只使用片内Flash，故FAL_FLASH_DEV_TABLE结构只配置一个Flash
(2)配置分区表结构FAL_PART_TABLE，包括：分区名, flash设备名, 起始地址, 空间大小等内容，如下图所示：

注意: 分区表的flash设备名要和fal_flash_dev中定义的名称一致！！！起始地址为相对于fal_flash_dev中扇区
首地址的偏移地址（STM32F4xx系列需要格外注意）！！！
在这里插入图片描述

5.配置完成，测试读写

使用之前，必须首先调用fal_init()函数进行初始化。

附录1：测试读写

// 测试代码来源于参考文件中的网址
#include "rtthread.h"
#include "rtdevice.h"
#include "board.h"
#include "fal.h"

#define BUF_SIZE 1024

static int fal_test(const char *partiton_name)
{
   
   
    int ret;
    int i, j, len;
    uint8_t buf[BUF_SIZE];
    const struct fal_flash_dev *flash_dev = RT_NULL;
    const struct fal_partition *partition = RT_NULL;

    if (!partiton_name)
    {
   
   
        rt_kprintf("Input param partition name is null!\n");
        return -1;
    }

    partition = fal_partition_find(partiton_name);
    if (partition == RT_NULL)